內存研究的趨勢是開發一種新的存儲器，稱為非易失性RAM，它結合了RAM的快速讀取與大容量存儲器的海量內存的特點。

有很多新儲存單元方案，例如，FeRAM(鐵電儲存器)，ReRAM(電阻儲存器)，MRAM(磁阻儲存器)，STT-MRAM (自旋轉矩磁阻儲存器)，PCM(相變存儲器)。

這些類型的儲存器是以使用不同的物理原理改變材料傳導性為基礎。例如，在電介質材料層中一根細線的形成或破壞，材料結構由非晶轉變為多晶或與磁場一直。

在本應用案例中，我們介紹如何使用脈沖發生器測試STT-MRAM儲存單元。